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如果对技术和加工问题需要咨询,请随时与我们联系。
联系人:营业部
TEL: 81-798-65-4508
FAX: 81-798-67-5038
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六甲电子株式会社
邮编: 663-8105
兵库县西宫市中岛町8-5
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『客户的需求』
● 当薄型化的晶圆投入到下一个工序时,在设备内的处理和搬送过程中发生的轻微碰触都会导致破片或崩边,这会对晶圆本身和生产线的良率都造成影响。用什么方法来解决呢?
『客户的需求』
● 如果在下一个工序中对于在带图案/帶膜晶圓的已经薄化・抛光的面上进行某些处理時,会浮现出一些东西,能处理干净吗?
● 因为背面清洗的洁净度有限,所以有的工程被认为无法投入?
※迄今为止,对于背面(抛光面)的颗粒一直是依赖于有机洗净・纯水系的各种清洗,这对提高清洁度是有极限的。此外,去除金属污染所必需的RCA清洗,在这种情况下,由于表面图案/胶膜会发生溶化而无法进行对应。
面对客户的种种问题,我们在和机械制造商携手合作下,构筑了如下所述的『六甲经典的工序流程』。
迄今为止的流程
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贴保护膜
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背面减薄
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单片式
背面抛光
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加工面非接触式
胶膜剥离
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六甲经典的
工序流程
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贴保护膜
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防止刀刃加工
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背面减薄
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单片式
背面抛光
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加工面非接触式
胶膜剥离
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带图案的晶圆
RCA清洗
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『客户的需求』
● 当薄型化的晶圆投入到下一个工序时,在设备内的处理和搬送过程中发生的轻微碰触都会导致破片或崩边,这会对晶圆本身和生产线的良率都造成影响。用什么方法来解决呢?
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为了防止薄晶圆形成刀刃,本公司在进行背面减薄(被提供的初期厚度)之前,根据客户要求的精加工厚度(例如100μ或50μ等)进行倒角加工。
由于是NC控制的倒角加工,无需更换砂轮就可以进行任何厚度的加工。
倒角加工有・无的6英寸100μ晶圆的下落测试的视频 请点击这里 → |
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加工对象晶圆:4、5、6、8英寸对应 |
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通过NC控制可对加工的成品厚度的形状进行自由更改。 |
我们在日常的批量生产合同处理方面拥有数十年的经验,该工艺包括从SOI・GWSS等带支撑基盘的晶圆的极薄加工,到一般量产薄型晶圆(100-150μ品)。
我们将竭尽全力提高受客户委托的晶圆的良率。
MEMS对应:SOI・GWSS晶圆以及开孔・cavity构造・硅穿孔・非圆形等晶圆。
加工对象晶圆:4、5、6、8英寸对应 |
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我们努力通过日常维护来提高产量。 |
■ 新功能:
当前使用的所有设备,都是使用内径规来测试晶圆的厚度,而新导入的设备使用NCG(非接触规)来对应MEMS晶圆,例如cavity构造和开孔的晶圆,在加工过程中不直接接触晶圆,而是用激光测试厚度,使其加工到指定的厚度。
■加工直径:4、5、6、8(12)英寸
■量产对应: 100~150μm
■MEMS晶圆对应示例
我们对SOI・GWSS晶圆、开孔・cavity构造・硅穿孔・非圆形等晶片有进行过减薄→拋光的一条龙式加工经验。
对减薄后在表面上有轻微凸凹的硅片进行抛光。
进行慎重且迅速的抛光,以避免影响表面性能。为了避免变形和刮擦,需要高精度加工。
■比较批量抛光的优势:
●由于不需要蜡,所以减少了清洗工序的负荷,成为清洁度更高的产品。
●和批量式相比,由于冲孔的速度较快,因此需要较少的抛光量即可。
●由于平面内的抛光量变得更均匀,因此可以得到高平坦度的产品。
加工对象晶圆:4、5、6、8英寸对应 |
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薄型MEMS晶圆片也可以在薄化后进行抛光。 |
■ 新装置:8英寸用单片式抛光
■加工直径:4・5・6・8英寸
■最薄型量产实绩:8英寸85μm
加工对象晶圆:4、5、6、8英寸对应
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最薄型量产实绩:8英寸85μm |
■ 新装置:
抛光后会微少残留一些碱性成分的抛光液等,在它们形成氧化膜之前,如果不能迅速清洗,将会成为污点和颗粒的根源。
以前是由人工(按批量分批)使用表面活性剂一片一片地对晶圆进行刷洗。由于导入自动清洗装置,消除了人工作业的差异,并且实现了均匀、高精度的颗粒清除。.
■加工直径:4・5・6・8英寸
■量产厚度对应:~ 100μm
■SOI晶圆,例如带图案的晶圆·MEMS晶圆等
也对应GWSS晶圆。
与手动操作相比,颗粒减少显著。
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加工对象晶圆:4、5、6、8英寸对应
即使对于硅以外的蓝宝石·SiC也发挥效果。 |
剥离背面的胶膜而不接触抛光的加工面。
■加工直径:5・6英寸
■对应胶膜:UV膜
■特征:
●伯努利机械手臂在不接触晶圆的情况下运送晶圆。
●将晶圆安置在平台上照射紫外线后,将其外围部分吸起自动剥离胶膜。
加工对象晶圆:5、6英寸对应 |
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抛光后的表面与金属接触时会产生微刮,但本机可以自动剥离而无需接触。 |
■目标项目
・带金属图案的晶圆背面的RCA清洗(除去颗粒・金属污染)
・贴膜晶圆的背面的RCA清洗(除去颗粒・金属污染)
・支撑基盘/键合片的背面的RCA清洗(除去颗粒・金属污染)
■基本规格
・抛光面非接触式全自动搬送(晶片盒到晶片盒)
・2室同时自旋方式(RCA清洗⇒纯水漂洗⇒干燥)
・用一种液体清除颗粒和金属汚染
・对应4、5、6、8英寸最小厚度150μm(目前在向150μm以下调节中)
・可对应带支撑基盘的晶圆
■清洁度(有图案的晶圆背面)
颗粒:≧0.3μm,≦50个/wf
重金属水平:≦5.0E10atoms/㎝-2
(Ka,Ca,Ti,Cr,Mn,Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Al,Na)
加工对象晶圆:4、5、6、8英寸对应 |
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可以进行RCA清洗⇒纯水漂洗⇒干燥,无需翻转到图案的正面。 |
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