Wir bieten spezielle Schleif- und Polierverfahren von verschiedenen
MEMS Prototypen (ab 1 Stück) an. Seit kurzem nehmen wir auch Aufträge
von Massenproduktionen an. Wir führen eine integrierte Verarbeitung
(vom Schleifen bis zum Polieren) von Wafern mit den folgenden Eigenschaften
durch: SOI, GWSS, Löchern, Hohlraumstrukturen, Elektrodendurchschuss
und Nicht-Kreisform.
■ Beispiele von MEMS Produkten
●Ausgedünnte Wafer
Wafergröße: φ200 mm
Dicke: 32 μm
Rückenschleifen: #2000 Fertigung
Wafergröße: φ200 mm
Dicke: 4.5 μm
Fertigpolierung
Glas: Pyrex
Schleifen
und Polieren
8 Zoll Silizium
TV5 (um)
Messbereich
A
B
C
D
E
4.15
4.6
4.37
2.21
3.93
2.39
●Wafer mit Hohlraumstruktur
Wafergröße: φ150 mm
Dicke: 100 μm
Rückenschleifen: #2000 Fertigung
●Wafer mit Hohlraumstruktur
Der obige Wafer wurde um 5um ausgedünnt.
■ Werkzeuge
■ Rückseitenschleifen
und Polieren für TSV
„Punkte, die man bei der TSV Verarbeitung
berücksichtigen sollte“
① Oberflächenabfall um das Loch
→ Der Bereich um das Loch kann aufgrund der Einwirkung der Chemikalie
durchhängen, je nach Polierdauer.
② Kantenschaden
→ Während der TSV Verarbeitung wird DREI verwendet, welches feine
Kantenerosionen verursachen kann.
③ Fremdkörper im Loch
→ In den Löchern können feine Polierpartikel verbleiben. ROKKO Electronics wird all diese Aspekte ansprechen
■ Wafer-dicing
(in die Hälfte geschnitten)
Der ultradünner Wafer mit geschnittener
Rille bei halber Waferdicke durch Würfelnund die Rückseite ist mit
Chips ausgekleidet.。
■ Knife-Edge
Protektion
„Kundenbedürfnisse“
● Wie verhindern Sie, dass die Wafer nach dem Verdünnungsprozess
nicht zerbrochen werden? Solch Schäden können sowohl von Menschen
als auch von Geräten verursacht werden, und das Ganze wirkt sich
auf Ihre Prozessausbeute aus. Wie möchten Sie dieses Problem lösen?
→
Wir bieten Abschrägungsdienste und gehen dabei auf die vielfältigen
Bedürfnisse bezüglich der fertigen Dicke (z. B. 100μ, 50μ usw.)
ein.
Da die Abschrägung durch NC-Steuerung erfolgt, ist es möglich, Wafer
auf jede beliebige Dicke zu verarbeiten, ohne den Schleifstein auszutauschen.
Vor dem Rückenschleifen
Abschrägung
Nach dem Rückenschleifen
※Ohne Abschrägungsdienst
※Abschrägungsdienst
※Das Bilden einer messerscharfen Form
※Die Abschrägung ist kompatibel mit
verschiedenen Waferdicken, und kann so ein geeignetes Kantenprofil
bilden.
Klicken Sie hier, um ein Falltest-Video eines 6-Zoll-100μ-Wafers
mit / ohne Abschrägung zu sehen→
● Verarbeitungsmaschine zur Knife-Edge
protektion
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
● Verarbeitungsmaschine zur Knife-Edge
protektion
Durch das NC-Steuerungssystem können die Kantenformen entsprechend
ihrer Dicke angepasst werden.
■ Rückseitenschleifen
Rokko verfügt über mehr als 10 Jahre Erfahrung im Bereich der Waferverdünnung
mit verschiedenen Wafertypen, von SOI, GWSS, bis hin zur normalen
Massenproduktion (Dicke von 100-150um).
Wir bemühen uns kontinuierlich, die Ausbeute der von unseren Kunden
erhaltenen Wafer zu verbessern.
MEMS-Anwendungen: SOI, GWSS, Wafer mit Löchern, Hohlraumstrukturen,
Silizium-Durchkontaktierung, und nichtkreisformige Wafer.
● Rückseitenschleifer
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
● Rückseitenschleifer
Erzielung höherer Ausbeute durch tägliche Wartungsprüfungen.
■ Neue Funktionen： Beim herkömmlichen Verfahren wird die Waferdicke mit
einem In-Process-Messgerät gemessen.Rokko hat vor kurzem die Maschine
installiert, welches mit einem NCG (berührungsloses Messgerät) ausgestattet
ist. Diese Maschine kann die Waferdicke per Laser messen, ohne sie
zu berühren. Im diesem neu entwickelten Verfahren können alle Wafer
einschließlich MEMS, wie z.B. Hohlraum-strukturierte oder durchlöcherte
Wafer, gemessen werden. ■Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
■Dicke: 100–150 μm
■MEMS Waferverarbeitung
Wir führen eine integrierte Verarbeitung (vom Schleifen bis zum
Polieren) von Wafern mit den folgenden Eigenschaften durch: SOI,
GWSS, Löchern, Hohlraumstrukturen, Elektrodendurchschuss und Nicht-Kreisform.
■ Rückseitenpolieren
von einzelnen Wafern
Nach dem Schleifen entstehen kleine Unebenheiten auf der Waferoberfläche.
In diesem Prozess werden Wafer sorgfältig poliert um die Unebenheiten
zu beseitigen. Es wird präzise und schnell poliert, sodass keine
Verzerrungen oder Kratzer auf der Waferoberfläche entstehen.
■Vorteile des Einzelwaferprozesses:
●Es ist ein wachsfreies Verfahren welches einen höheren Reinheitsgrad
ermöglicht, da die Reinigungsanforderungen reduziert werden.
●Ein einzelnes Waferverarbeitungswerkzeug kann Wafer effizienter
polieren als der Bach-Typ und erfordert im Vergleich auch weniger
Entfernungen.
●Eine einzelne Waferverarbeitung sorgt für ein genaueres Polieren
und hilft auch dabei, mehr Ebenheit zu erzielen.
● Einzelwafer-Rückschleifmaschine
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
● Einzelwafer-Rückschleifmaschine
Diese Maschine kann ausgedünnte Wafer und MEMS-Wafer verarbeiten.
■ Neues Werkzeug:：
Ablagerungen, die alkalische Substanzen enthalten, führen nach dem
Polieren zu Polierspuren oder Partikelquellen. Das Entfernen solcher
Ablagerungen vor dem Beschichten mit natürlichen Oxidfilmen ist
eines der Schlüsseltechniken beim Polieren.
Bei unserem herkömmlichen Verfahren wurden die Wafer Stück für Stück
durch manuelles Schrubben gereinigt. Nun führte Rokko eine vollautomatische
Reinigungsmaschine ein, um menschliche Fehler und Qualitätsabweichungen
zu beseitigen, und dementsprechend eine einheitliche, stabile Qualität
zu erreichen.
■Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
■Dicke: Bis zu 100 μm
■Gemusterte Wafer, SOI Wafer & MEMS
Auch kompatibel mit Wafern mit Glasträger.
。
● Automatische Schrubbausrüstung
Hohe Reinigungsleistung.
● Automatische Schrubbausrüstung
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
Saphir- und SiC-Wafer können verarbeitet warden.
■ Kontaktloses
Abziehen von Oberflächenbändern
Das Klebeband wird abgezogen, ohne die polierte Oberfläche zu berühren.
■Wafergröße: 5,6 Zoll
■Bandtyp: UV-Bänder
■Eigenschaften:
●Der Roboterarm vom Typ Bernoulli überträgt Wafer, ohne dass sie
berührt werden.
●Nachdem die Wafer aufgestellt werden für die UV Bestrahlung, wird
das Band automatisch abgezogen.
● Automatisches Waferdickenmessgerät
für spektrale Interferenzen
Wafergröße: 5,6 Zoll
● Automatisches Waferdickenmessgerät
für spektrale Interferenzen
Die Oberfläche nach dem Polieren ist sehr fragil und verursacht
Mikrokratzer, wenn sie mit Metallteilen in Kontakt kommt.
Diese Maschine kann jedoch Bänder automatisch ohne Kontakt
abziehen.
■ RCA
Reinigungsprozess für gemusterte Wafer
■Verfügbare Dienste
・RCA-Reinigung für Wafer mit metallischen Mustern (Partikel- und
Metallreinigung)
・RCA-Reinigung für Filmwafer (Partikel- und Metallreinigung)
・RCA-Reinigung der Waferrückseite für Trägerwafer oder gebundene
Wafer (Partikel- und Metallreinigung)
■Grundlegende Spezifikationen
・Kontaktlose automatische Übertragung der polierten Oberfläche (Kassette
zu Kassette)
・Gleichzeitige 2-Kammer-Schleudermethode (RCA-Reinigung ⇒ Reinwasserspülung
⇒ Trocknen)
・Reinigung von Metallverunreinigungen durch nur einen chemischen
Prozess.
・Kompatibel für 4, 5, 6, 8 Zoll mit einer Mindestdicke von 150 μm
(am Prozess für unter 150 μm wird zurzeit gearbeitet.)
・Trägerwafer können bei Rokko verarbeitet werden.
Klicken Sie hier, um eine RCA-Reinigung der Rückseite von
gemusterten Wafern zu sehen →
● RCA Reinigungsprozess für gemusterte
Wafer
Wafergröße: 4,5,6,8 Zoll
● RCA Reinigungsprozess für gemusterte
Wafer
Dieses Gerät kann ausschließlich eine Seite (Rückseite) reinigen,
ohne auf der anderen Seite Schäden zu verursachen.
■ Werkzeuge
● Vollautomatische Schleifmaschine
Fähig einzelne und mehrere Wafer herzustellen.
● Einzelwafer-Dünnschichtpoliermaschine
Poliert Wafer mit hoher Genauigkeit, ohne die Polierfläche
zu berühren.
※Diese Maschine wird ausschließlich von Rokko entwickelt und
angepasst.
● Kapazitätswaferdickenmessgerät
Dieses Gerät entlädt Wafer von Kassetten und misst die Dicke
an einer festgelegten Koordinate des Wafers.
Die Messung erfolgt über einen berührungslosen Kapazitätssensor.
● Kapazitätswaferdickenmessgerät
Messbare Dicke: 100-1800 um (abhängig von der Wafergröße)
Mittelpunktmessung (Koordinaten können über die Maschinenkonfiguration
eingestellt werden).
● Automatisches Waferdickenmessgerät
für spektrale Interferenzen
Die Dicke kann gemessen werden für: Die Silikonschicht der
bandgebundenen Wafer, SOI, Wafer mit Trägerbasis, Harzmaterial
/ bandgebundenen Wafer (wenn 2 Silikonwafer befestigt sind,
kann die einseitige Silikonschicht gemessen werden).
● Automatisches Waferdickenmessgerät
für spektrale Interferenzen
Die Dicke kann entweder nur von der Silikonschicht mit Trägerbasis
gemessen werden, oder nur von der aktiven Silikonschicht.
Ansonsten kann man nur die gesamte Dicke der ausgedünnten
MEMS/Sensor-Wafer messen.
ROKKO Electronics wird all diese Aspekte ansprechen
